AS4C32M16D2C-25BCN

AS4C32M16D2C是一款高速CMOS双倍数据速率二代（DDR2）同步动态随机存取存储器（SDRAM），具有512 Mbit容量，采用16位宽数据输入/输出接口。其内部配置为四组DRAM，即4个存储体 x 8Mb地址 x 16个输入/输出接口。 该器件设计符合DDR2 DRAM的关键特性，如带附加延迟的后置列地址选通（CAS#）、写延迟 = 读延迟 - 1、片外驱动器（OCD）阻抗调整和片上终端（ODT）。 所有控制和地址输入与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟的交叉点（CK上升沿和CK#下降沿）锁存。所有输入/输出接口与一对双向选通信号（DQS和DQS#）以源同步方式同步。地址总线用于以行地址选通（RAS#）、列地址选通（CAS#）复用方式传输行、列和存储体地址信息。访问从激活存储体命令的注册开始，随后是读或写命令。对DDR2 SDRAM的读写访问以4位或8位突发方式进行；访问从选定位置开始，并按编程顺序持续指定数量的位置。以交错方式操作四个存储体可实现比标准DRAM更高的随机访问速率。可以启用自动预充电功能，以在突发序列结束时启动自定时行预充电。根据突发长度、列地址选通延迟和器件速度等级，可实现连续无间隙的数据速率。 对DDR2 SDRAM的读写访问以突发方式进行；访问从选定位置开始，并按编程顺序持续4位或8位的突发长度。访问从激活命令的注册开始，随后是读或写命令。与激活命令同时注册的地址位用于选择要访问的存储体和行（BA0、BA1选择存储体；A0 - A12选择行）。与读或写命令同时注册的地址位用于选择突发访问的起始列位置，并确定是否要发出自动预充电命令。 在正常操作之前，必须对DDR2 SDRAM进行初始化。以下部分提供了有关器件初始化、寄存器定义、命令描述和器件操作的详细信息。 DDR2 SDRAM必须以预定义的方式上电和初始化。未按指定的操作程序可能导致未定义的操作。 上电和初始化需要以下顺序：

1. 施加电源，并尝试将时钟使能（CKE）保持在0.2 × VDDQ以下，片上终端（ODT）处于低电平状态（所有其他输入可以未定义）。VDD电压上升时间从VDD从300mV上升到VDD最小值时起不得超过200ms；并且在VDD电压上升期间，|VDD - VDDQ| ≤ 0.3V。

• VDD、VDDL和VDDQ由单个电源转换器输出驱动，并且
• VTT限制在最大0.95V，并且
• VREF跟踪VDDQ / 2。 或者
• 在VDDL之前或同时施加VDD。
• 在VDDQ之前或同时施加VDDL。
• 在VTT和VREF之前或同时施加VDDQ。 至少满足这两组条件中的一组。

• 符合JEDEC标准
• JEDEC标准1.8V输入/输出（与SSTL_18兼容）
• 电源：VDD和VDDQ = +1.8V ± 0.1V
• 工作温度：
  • TC = 0 ~ 85°C（商业级）
  • TC = -40 ~ 95°C（工业级）
• 支持JEDEC时钟抖动规范
• 完全同步操作
• 快速时钟速率：400MHz
• 差分时钟，CK和CK#
• 双向单/差分数据选通
  • DQS和DQS#
• 4个内部存储体用于并发操作
• 4位预取架构
• 内部流水线架构
• 预充电和主动掉电
• 可编程模式和扩展模式寄存器
• 后置CAS#附加延迟（AL）：0、1、2、3、4、5、6
• 写延迟 = 读延迟 - 1个时钟周期（tCK）
• 突发长度：4或8
• 突发类型：顺序/交错
• 延迟锁定环（DLL）启用/禁用
• 片外驱动器（OCD）
• 阻抗调整
• 可调数据输出驱动强度
• 片上终端（ODT）
• 符合RoHS标准
• 自动刷新和自刷新
• 平均刷新周期：
  • 8192个周期/64ms（在 -40°C ≤ Tc ≤ +85°C时为7.8μs）
  • 8192个周期/32ms（在 +85°C ≤ Tc ≤ +95°C时为3.9μs）
• 84球8 × 12.5 × 1.2mm（最大）倒装芯片球栅阵列（FBGA）封装
• 无铅和无卤素