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AS4C1G16D4-062BCN
16Gb DDR4内存
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- 描述
- 特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。 VPP = 2.5V,-125mV, + 250mV。 片上、内部、可调VREFDQ生成。 1.2V伪开漏I/O
- 品牌名称
- Alliance Memory
- 商品型号
- AS4C1G16D4-062BCN
- 商品编号
- C17452509
- 商品封装
- FBGA-96(9x13)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1.57759克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 1.6GHz | |
| 存储容量 | 16Gbit | |
| 工作电压 | 1.14V~1.26V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | 3.5mA | |
| 工作温度 | 0℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；CRC功能；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品特性
- VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV
- VPP = 2.5V, -125mV, +250mV
- 片上内部可调节VREFDQ生成
- 1.2V伪开漏I/O
- 在TC温度范围内8192周期的刷新时间：
- 64ms，在 -40°C至85°C
- 32ms，在 >85°C至95°C
- 8个内部存储体（x16）：每组4个存储体，共2组
- 8n位预取架构
- 可编程数据选通前导码
- 数据选通前导码训练
- 命令/地址延迟（CAL）
- 多功能寄存器读写能力
- 写电平调整
- 自刷新模式
- 低功耗自动自刷新（LPASR）
- 温度控制刷新（TCR）
- 精细粒度刷新
- 自刷新中止
- 最大节能
- 输出驱动器校准
- 标称、静止和动态片上终端（ODT）
- 数据总线反相（DBI）用于数据总线
- 命令/地址（CA）奇偶校验
- 数据总线写循环冗余校验（CRC）
- 每个DRAM可寻址性
- 连接性测试
- 符合JEDEC JESD - 79 - 4标准
- sPPR和hPPR能力
- AS4C512M8D4-83BINTR
- IS43LD32640B-18BL
- SI5338B-B12613-GM
- EM6GC16EWKG-10IH
- W632GU6NB-09 TR
- IS66WVQ8M4DALL-200BLI-TR
- SI5338B-B12613-GMR
- SI5338B-B14481-GM
- MAX3875AEHJ
- SI5338M-B12868-GM
- IS43TR81024BL-107MBL
- IS46TR16256B-107MBLA1-TR
- IS42S16320D-6BL
- IS43R16320E-6TLI-TR
- W63AH2NBVABI TR
- SI5338N-B03936-GMR
- SI5334M-B03447-GMR
- IS46QR81024A-075VBLA2
- SI52111-B5-GT
- SI5338C-B11301-GM
- SI5338K-B12696-GMR