- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶闸管(可控硅)/模块 | |
| 可控硅类型 | 1个单向可控硅 | |
| 断态峰值电压(Vdrm) | 400V | |
| 通态电流(It) | 35A | |
| 通态峰值电压(Vtm) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 门极触发电流(Igt) | 25mA | |
| 门极触发电压(Vgt) | 2V | |
| 保持电流(Ih) | 50mA | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- 重复峰值断态电压（TJ = +100°C）：NTE5517为200V，NTE5518为400V，NTE5519为600V
- 重复峰值反向电压（TJ = +100°C）：NTE5517为200V，NTE5518为400V，NTE5519为600V
- 均方根通态电流（TC = +75°C）为35A
- 峰值浪涌（非重复）通态电流（一个周期，50Hz或60Hz）为350A
- 峰值门极触发电流（3μs最大）为20A
- 峰值门极功率耗散（IGT ≤ IGTM，3μs最大）为20W
- 平均门极功率耗散为0.5W
- 工作温度范围为 -40°C至 +150°C
- 存储温度范围为 -40°C至 +100°C
- 典型热阻，结到外壳为0.9°C/W
- D20418-2F-6
- 626-037-262-030
- SIT8008BC-13-33E-18.440000
- 4068-0-00-15-00-00-33-0
- 5500003818F
- AFBR-S6PY3200
- SIT1602BI-21-30S-40.000000
- REFSHA35WRC2SYSTOBO1
- TS3USB221EVM
- SG-8018CB 81.1000M-TJHSA0
- S52505T-48.000-X-R
- MTGBEZ-01-0000-0B00M040H
- 66F110
- 0908163006
- MDM-25SBRM7TL61-A174
- SIT9365AC-4B3-28E30.720000
- 714-87-134-41-001101
- SG-8018CG 50.4133M-TJHSA0
- 660-008NF12H4-106
- SBH51-LPPE-D34-SP-BK
- 3QHM53D1.0-16.667