商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 383pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 215pF |
商品特性
- 增强耐用性,V(BR)DSS = 130 V
- 在30MHz、50V条件下,功率150W,典型增益22dB
- 在175MHz、50V条件下,功率150W,典型增益14dB
- 出色的稳定性和低互调失真
- 共源极配置
- 可提供配对产品
- 在指定工作条件下,负载电压驻波比(VSWR)可达70:1
- 采用氮化物钝化工艺
- 难熔镀金工艺
- 可作为MRF151、BLF177、SD2941的低Rds替代产品
- 符合RoHS标准
应用领域
- 宽带商业应用
相似推荐
其他推荐