- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 383pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 215pF |
商品概述
VRF152是一款镀金硅N沟道射频功率晶体管,专为需要高功率和高增益,同时又不牺牲可靠性、耐用性或互调失真的宽带商业应用而设计。
商品特性
- 增强耐用性,V(BR)DSS = 130 V
- 在30MHz、50V条件下,功率150W,典型增益22dB
- 在175MHz、50V条件下,功率150W,典型增益14dB
- 出色的稳定性和低互调失真
- 共源极配置
- 可提供配对产品
- 在指定工作条件下,负载电压驻波比(VSWR)可达70:1
- 采用氮化物钝化工艺
- 难熔镀金工艺
- 可作为MRF151、BLF177、SD2941的低Rds替代产品
- 符合RoHS标准
应用领域
- 宽带商业应用
- MP-2016-2100-27-90
- 103961-1
- BPSD00060530561M00
- L128-5770HA35000B4
- 628W3W3-622-4N2
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- SFH210-PPEC-D32-ID-BK
- SG-8018CG 13.568740M-TJHPA0
- 627-43W2624-2N1
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- SIT8208AC-3F-18S-40.000000Y
- SIT8208AC-3F-25S-7.372800T
- 637V156G5C3T
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- SIT8208AC-8F-25E-40.500000Y
- SG-8018CB 166.0000M-TJHSA0
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- 510KBA000330BAGR