商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 500W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 375pF |
商品特性
- 增强耐用性,V(BR)DSS = 80V
- 在175MHz、28V条件下,功率300W,典型增益14dB
- 出色的稳定性和低互调失真
- 共源极配置
- 符合RoHS标准
- 在规定工作条件下,负载电压驻波比(VSWR)可达5:1
- 氮化物钝化处理
- 难熔金金属化
- 可替代MRF141G的高压器件
应用领域
- 宽带商业应用
- 调频广播
- 电视频道频段
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