商品参数
参数完善中
商品特性
- 增强的HaRP技术
- 快速建立时间2 μs
- 无门延迟和相位滞后
- 插入损耗和相位无漂移
- 快速切换时间500 ns
- 在4 GHz、50Ω下具有高功率处理能力
- 连续波36 dBm
- 瞬时功率38.5 dBm
- 终端端口26 dBm
- 高线性度
- IIP3 65 dBm
- 低插入损耗
- 3 GHz时0.75 dB
- 10 GHz时1.15 dB
- 13 GHz时1.85 dB
- 高隔离度
- 3 GHz时44 dB
- 10 GHz时30 dB
- 13 GHz时17 dB
- ESD性能
- RF引脚到地3 kV HBM
- 所有引脚1.5 kV HBM
- 所有引脚1 kV CDM
应用领域
- Test/ATE
- 高性能无线应用
优惠活动
购买数量
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总价金额：
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