ALD310704SCL
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 4个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 8V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.83mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2kΩ@5V,0.1V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 420mV@1uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
BLM9D2327S-50PB(G) 是一款采用安谱隆(Ampleon)先进的 GEN9 LDMOS 技术的双路、两级全集成 Doherty 单片微波集成电路(MMIC)解决方案。对于每一路,载波和峰值器件、输入功分器和输出合路器都集成在一个封装中。这款多频段器件非常适合作为 2300 MHz 至 2700 MHz 频率范围内的通用驱动器或小基站末级放大器。提供鸥翼型或扁平引脚封装。
商品特性
- 集成输入功分器
- 集成输出合路器
- 高效率
- 专为宽带操作设计(频率范围 2300 MHz 至 2700 MHz)
- 路间高隔离度,支持多种组合
- 载波和峰值偏置独立控制
- 集成静电放电(ESD)保护
- 出色的热稳定性
- 源阻抗 50 Ω;高功率增益
应用领域
- 用于 2300 MHz 至 2700 MHz 频率范围内多载波、多标准 GSM、W - CDMA 和 LTE 基站的射频功率 MMIC。
- 双路或单端应用
- 正交合成应用
- 推挽应用
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