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DMT3020LDV-13
2个N沟道 耐压:30V 电流:32A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT3020LDV-13
- 商品编号
- C17441640
- 商品封装
- VDFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@4.5V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 393pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 173pF |
商品概述
这款双N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺设计，旨在优化特殊MLP引线框架上VGS = 2.5V时的rDS(on)，且所有漏极位于封装的一侧。
商品特性
- VGS = 4.5V、ID = 10A时，最大rDS(on) = 23 mΩ
- VGS = 2.5V、ID = 9A时，最大rDS(on) = 28 mΩ
- 静电放电（ESD）保护大于2000V
- 采用新型MLP 3.3x3.3 mm封装，低外形高度——最大1mm
- 符合RoHS标准
应用领域
- 锂离子电池组
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