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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 其他模块 | |
| 类型 | 电源管理 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 过流保护；短路保护；欠压保护 |
商品概述
UCC217XXQDWEVM - 025是一款紧凑的单通道隔离栅极驱动板，为封装尺寸为150 x 62 x 17 mm和106×62×30 mm的碳化硅（SiC）MOSFET和硅（Si）IGBT功率模块提供所需的驱动、偏置电压、保护和监测功能。该板可与UCC217XX系列的UCC21710、UCC21732、UCC21750或UCC21736驱动器配合使用。这款德州仪器（TI）的评估模块（EVM）基于采用SOIC - 16DW封装、具有8.0 mm爬电距离和电气间隙的5.7 kVrms增强型隔离驱动器UCC217XX。EVM包含基于SN6505B的隔离式DC - DC变压器偏置电源。通过集成在UCC217XX中的模拟传感器和PWM输出，提供隔离式温度和输入轨监测功能。紧凑的外形尺寸62×48×6.6 mm允许直接连接两块板，以驱动和保护轨电压高达1700 V的标准半桥模块。流行的150 mm和106 mm封装的高压SiC和IGBT功率模块是各种功率高达兆瓦级电力系统的构建模块。最近，基于宽带隙SiC FET的功率模块因其出色的传导和开关性能，在电力电子领域取代了Si IGBT。紧凑的驱动板UCC21732QDWEVM - 025通过减少寄生效应、最小化开关损耗和电磁干扰（EMI），并提供所需的全面保护和诊断功能，来支持SiC模块。
商品特性
- 10 A峰值分流灌电流/拉电流驱动，实现快速导通和关断时间
- 2 W偏置电源，具有欠压锁定（UVLO）和过压锁定（OVLO）保护，默认设置为4.5 V至5.5 V；默认驱动电压为17 / - 5 V，采用单5 V输入电源；也可通过使用3.3 V至5.5 V的两个输入电源，将导通驱动电压独立编程为11 V至19 V，关断驱动电压编程为 - 3.3 V至 - 6 V
- 具有抗噪声设计，共模瞬态抗扰度（CMTI）> 150 V/ns
- 5.7 kVrms增强型隔离
- 过流（OC）短路分流电阻感应，具备两级（UCC21732）或单级（UCC21710）软关断保护；OC信号可设置为正或负极性
- UCC21750具有去饱和短路感应功能
- 使用外部FET（UCC21732）或内部（UCC21710）实现有源米勒钳位；输出短路钳位
- 带复位的故障反馈
- 隔离式温度和输入轨监测
应用领域
太阳能逆变器、电机驱动器、混合动力汽车/电动汽车（HEV/EV）充电器、HEV/EV牵引逆变器