LM74721EVM

LM74721EVM评估模块默认配置为仅评估理想二极管配置。板载选项可用于评估背靠背N沟道MOSFET，这些MOSFET可实现具有电源路径通断控制和过压保护功能的理想二极管整流器。输入电源施加在端子J2和J6上，端子J3和J7提供与负载的输出连接。使能控制通常由外部MCU或控制器用于关闭LM74721 - Q1并切断电源路径。Q1是额定60V的N沟道MOSFET，能够支持5A的汽车ECU应用，有助于支持高达 - 33V的反向电池保护、反向电流阻断，并在VDS钳位操作期间消散汽车ISO7637脉冲1瞬变。默认情况下，Q2 FET未安装，由R1电阻旁路。若要评估电源路径通断和过压切断功能，需要安装Q2并移除R1。当安装Q2时，R5和C5可提供输出压摆率控制。默认情况下，EVM上安装了肖特基二极管D3，当输出电压可能出现超过LM74721 - Q1绝对最大额定值的负瞬变时推荐使用，若输出不可能出现负瞬变则可移除。D4用于指示输出电压状态。默认情况下，输入处的TVS二极管D2未安装，因为LM74721 - Q1可实现无输入TVS的系统设计以抑制汽车ISO7637 - 2脉冲1。若系统正端可能出现超出器件绝对最大额定值的电压瞬变，可安装合适的TVS。

• 集成VDS钳位，用于无输入TVS的ISO7637脉冲1抑制操作
• 12V汽车反向电池保护，低至 - 33V
• 输入工作范围3V至40V，可扩展至65V
• 最大负载电流5A
• 可选开关输出，用于电源路径切断或钳位
• 使能通断控制
• 可编程过压切断
• 可选输出电压压摆率控制
• LED指示输出通断检测

汽车反向电池保护、ADAS域控制器、摄像头和ECU、主机、高级音频放大器