TCDT1100G
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | - | |
| 输出类型 | 光电三极管 | |
| 正向压降(Vf) | 1.25V | |
| 输出电流 | 50mA | |
| 隔离电压(Vrms) | 5kV | |
| 直流反向耐压(Vr) | 5V | |
| 负载电压 | 32V | |
| 输出通道数 | 1 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV@10mA,10mA | |
| 上升时间(tr) | 7us | |
| 下降时间 | 6.7us | |
| 工作温度 | -55℃~+110℃ | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 40% | |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | - | |
| 总功耗(Pd) | 200mW | |
| 正向电流(If) | 60mA | |
| 功能特性 | - |
商品概述
TCDT1100、TCDT1100G 系列由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用 6 引脚塑料双列直插式封装。光电晶体管的基极未连接，具有抗干扰能力。
商品特性
- 隔离测试电压 5000 VRMS
- 高共模抑制比（相位-频率）
- 无基极端连接，提高抗干扰能力
- 电流传输比（CTR）分为 4 组，符合 RoHS 标准
- 绝缘厚度 ≥0.4 mm
- 根据 VDE0303/IEC 60112 标准，相比漏电起痕指数：CTI ≥275
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC，符合 WEEE 指令 2002/96/EC
应用领域
- 开关电源
- 线路接收器
- 计算机外设接口
- 微处理器系统接口
- 根据安全等级 II（加强隔离）用于防止触电的安全保护隔离电路：- 适用于电源电压 ≤300 V 的 I - IV 类应用 - 适用于电源电压 ≤600 V 的 I - III 类应用，或根据 DIN EN 60747 - 5 - 5 标准
- XPGBWT-01-0000-00JE5
- QSCF201Q1R9C1GV001T
- SG-8018CB 11.0590M-TJHPA0
- SG-8018CA 20.8286M-TJHSA0
- SIT8208AI-GF-25E-38.000000T
- 627-5W5-224-4N4
- SBH51-LPSE-D17-SM-BK
- RVT101HVBFWN00
- STMM-125-01-S-D-SM-26
- ECS-HCMPI-0402Q-R10M-T
- CMU1013-0000-000N0U0A27G
- EL817(S)(C)(TU)
- 545ACA10M0000CCGR
- 780-M26-213R011
- UF800_T0_00001
- XPGBWT-B1-0000-00EE5
- XTEAWT-00-0000-000000FC1
- UCC21710QDWEVM-025
- 180-M44-213R031
- SG-8018CE 14.3680M-TJHSA0
- BPCF00101045331M00