LS844 SOIC 8L ROHS
LS844 SOIC 8L ROHS
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- 描述
- 低噪声、低输入电容、单片双N沟道JFET放大器。超低噪声,低泄漏,低漂移,超低偏置电压。
- 商品型号
- LS844 SOIC 8L ROHS
- 商品编号
- C17430440
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 1V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | 1.5mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | N沟道 |
- 194270018
- SG-8018CE 10.2000M-TJHPA0
- UFS550G/TR13
- MCO75-16IO1
- BPDR000505301R8T00
- SG-8018CE 50.1433M-TJHSA0
- GCM1885C2A2R5CA16J
- 559350630
- SC104-470
- SI82396BB-AS1R
- LFSPXO054046REEL
- MK5159
- RCS2012J331CS
- TEM-105-02-03.0-H-D-K-TR
- AON6816
- LMX25413030EVAL/NOPB
- 516-038-542-406
- MLEAWT-P1-0000-0002A7
- 125-110-JTW
- 516-038-540-421
- 3007W2PCM99A10X

