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AON6816

N沟道 耐压:30V

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品牌名称
AOS
商品型号
AON6816
商品编号
C17430457
商品封装
DFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
1.12克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)16A
导通电阻(RDS(on))9.6mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)21W
阈值电压(Vgs(th))2.2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)45nC@10V
输入电容(Ciss)1.54nF
反向传输电容(Crss)448pF
工作温度-
类型N沟道
输出电容(Coss)485pF

商品概述

  • 最新沟槽功率AlphaMOS(αMOS LV)技术
  • 在4.5 VGS下具有极低的导通电阻RDS(on)
  • 低栅极电荷
  • ESD保护
  • 符合RoHS标准且无卤

商品特性

  • 使用简单且经济
  • 工厂精确微调
  • 自动调节和平衡漏电流
  • 有效实现超级电容器充电平衡
  • 单个 IC 封装可平衡多达 4 个超级电容
  • 平衡 2 节、3 节、4 节串联的超级电容
  • 可扩展至更大的超级电容组和阵列
  • 几乎零额外漏电流
  • 在额定电压以下 0.3V 时零漏电流
  • 平衡串联和/或并联连接的超级电容
  • 漏电流是电池电压的指数函数
  • 有源电流范围从 < 0.3 nA 到 >1000 μA
  • 始终处于工作状态,响应时间快
  • 最小化漏电流和功耗

应用领域

-DC/DC转换器

数据手册PDF