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AON6816

N沟道耐压:30V

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品牌名称: AOS
商品型号: AON6816
商品编号: C17430457
商品封装: DFN-8(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 1.12克(g)

商品参数

商品概述

ALD810016/ALD910016 是 ALD8100xx（四通道）和 ALD9100xx（双通道）超级电容器自动平衡 MOSFET（即 SAB MOSFET）系列的成员。SAB MOSFET 采用经过生产验证的 EPAD 技术制造，旨在解决串联连接的超级电容器的电压和漏电流平衡问题。超级电容器，也称为超级电容或法拉电容，通过在每个超级电容器组两端连接一个或多个器件的组合，可以实现串联连接时的漏电流平衡，防止过电压。每个 SAB MOSFET 在 Vt 模式下具有精确的栅极阈值电压，当栅 - 漏源极端子（VGS = VDS）连接在一起且漏源电流 IDS(ON) = 1μA 时，该阈值电压为 1.60V。不同的输入电压 VIN 会产生输出电流 IOUT = IDS(ON) 特性，从而形成一个有效可变电阻，其阻值随 VIN 呈指数变化。当该 VIN 连接到串联的每个超级电容器两端时，可将每个超级电容器的电压和电流控制在其限制范围内。 ALD810016/ALD910016 的导通电阻与电压相关特性，在跨接超级电容器时能有效控制其电压过度上升。在串联连接的超级电容器组中，当一个超级电容器的电压上升时，其他超级电容器的电压会下降，漏电流最大的超级电容器电压最低。跨接在这些超级电容器两端的 SAB MOSFET 会呈现互补的反向电流水平，除了超级电容器自身产生的漏电流外，几乎不会产生额外的漏电流。

商品特性

使用简单且经济
工厂精确微调
自动调节和平衡漏电流
有效实现超级电容器充电平衡
单个 IC 封装可平衡多达 4 个超级电容
平衡 2 节、3 节、4 节串联的超级电容
可扩展至更大的超级电容组和阵列
几乎零额外漏电流
在额定电压以下 0.3V 时零漏电流
平衡串联和/或并联连接的超级电容
漏电流是电池电压的指数函数
有源电流范围从 < 0.3 nA 到 >1000 μA
始终处于工作状态，响应时间快
最小化漏电流和功耗

应用领域

-DC/DC转换器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	16A
	导通电阻(RDS(on))	9.6mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	21W
	阈值电压(Vgs(th))	2.2V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	45nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.54nF
	反向传输电容(Crss)	448pF
	工作温度	-
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	485pF