- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶闸管(可控硅)/模块 | |
| 可控硅类型 | 1个单向可控硅 | |
| 断态峰值电压(Vdrm) | 600V | |
| 通态电流(It) | 35A | |
| 通态峰值电压(Vtm) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 门极触发电流(Igt) | 25mA | |
| 门极触发电压(Vgt) | 2V | |
| 保持电流(Ih) | 50mA | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- 重复峰值断态电压（TJ = +100°C）：NTE5517为200V，NTE5518为400V，NTE5519为600V
- 重复峰值反向电压（TJ = +100°C）：NTE5517为200V，NTE5518为400V，NTE5519为600V
- 均方根通态电流（TC = +75°C）为35A
- 峰值浪涌（非重复）通态电流（一个周期，50Hz或60Hz）为350A
- 峰值门极触发电流（3μs最大）为20A
- 峰值门极功率耗散（IGT ≤ IGTM，3μs最大）为20W
- 平均门极功率耗散为0.5W
- 工作温度范围为 -40°C至 +150°C
- 存储温度范围为 -40°C至 +100°C
- 典型热阻，结到外壳为0.9°C/W
- DPG60IM400QB
- SIT8208AI-3F-33S-74.175824X
- TLP627MF(D4-F4,E
- 570BAB001901DGR
- MIL1812-564J
- 627-009-320-047
- SIT8208AI-GF-28S-7.372800T
- S34120
- SSL009PC0DC006N
- 0014442111
- XHBAWT-00-0000-00000UVE8
- 629-17W5640-4NA
- 3QHM572D0.5-116.625
- XHP50D-H0-0000-0D0HH227H
- SG-8018CA 37.4000M-TJHPA0
- M83723/59-122ZT
- CTCDRH74BF-151M
- 621-015-368-055
- S32505T-38.400-X-R
- XBDROY-00-0000-000000R07
- THS32-H10CQ33ST-26.000M-TR