商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶闸管(可控硅)/模块 | |
| 可控硅类型 | 1个单向可控硅 | |
| 断态峰值电压(Vdrm) | 600V | |
| 通态电流(It) | 35A | |
| 通态峰值电压(Vtm) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 门极触发电流(Igt) | 25mA | |
| 门极触发电压(Vgt) | 2V | |
| 保持电流(Ih) | 50mA | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- 重复峰值断态电压（TJ = +100°C）：NTE5517为200V，NTE5518为400V，NTE5519为600V
- 重复峰值反向电压（TJ = +100°C）：NTE5517为200V，NTE5518为400V，NTE5519为600V
- 均方根通态电流（TC = +75°C）为35A
- 峰值浪涌（非重复）通态电流（一个周期，50Hz或60Hz）为350A
- 峰值门极触发电流（3μs最大）为20A
- 峰值门极功率耗散（IGT ≤ IGTM，3μs最大）为20W
- 平均门极功率耗散为0.5W
- 工作温度范围为 -40°C至 +150°C
- 存储温度范围为 -40°C至 +100°C
- 典型热阻，结到外壳为0.9°C/W
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