商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶闸管(可控硅)/模块 | |
| 可控硅类型 | 1个单向可控硅 | |
| 断态峰值电压(Vdrm) | 1.2kV | |
| 通态电流(It) | 1.64kA | |
| 浪涌电流 | - | |
| 门极平均耗散功率(PG(AV)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 通态峰值电压(Vtm) | 1.75V | |
| 门极触发电流(Igt) | 200mA | |
| 门极触发电压(Vgt) | 3V | |
| 保持电流(Ih) | 1A | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品特性
- 重复峰值电压（VDRM）：NTE5561为1600V，NTE5594为200V，NTE5595为600V，NTE5596为1200V
- 重复峰值反向电压（VRRM）：NTE5561为1600V，NTE5594为200V，NTE5595为600V，NTE5596为1200V
- 非重复峰值关态电压（VDSM）：NTE5561为1600V，NTE5594为200V，NTE5595为600V，NTE5596为1200V
- 非重复峰值反向阻断电压（VRSM）：NTE5561为1700V，NTE5594为300V，NTE5595为700V，NTE5596为1200V
- 平均导通状态电流（半正弦波，IT(AV)）：散热片温度+55℃双侧冷却时为820A，+85℃单侧冷却时为320A
- 均方根导通状态电流（IT(RMS)，散热片温度+25℃双侧冷却）为1640A
- 连续导通状态电流（IT，散热片温度+25℃双侧冷却）为1400A
- 峰值单周期浪涌（非重复）导通状态电流（持续10ms，60% VRRM重新施加时）为11500A，VR ≤ 10V时为12650A
- 最大允许浪涌能量（VR ≤ 10V）：10ms持续时间为8000000A²s，3ms持续时间为5900000A²s
- 峰值正向栅极电流（阳极相对于阴极正）为20A
- 峰值正向栅极电压（阳极相对于阴极正）为22V
- 峰值反向栅极电压为5V
- 平均栅极功率（PG）为4W
- 峰值栅极功率（脉冲宽度100μs）为120W
- 关态电压上升率（至80% VDRM，栅极开路）为500V/μs
- 关态电流上升率（栅极驱动20V、20Ω，tr ≤ 1μs，阳极电压 ≤ 80% VDRM）：重复时为500A/μs，非重复时为1000A/μs
- 工作温度范围为 -40℃至 +125℃
- 存储温度范围为 -40℃至 +150℃
- 峰值导通状态电压（ITM = 1700A）为1.75V
- 正向导通阈值电压为1.08V
- 正向导通斜率电阻为0.395Ω
- 重复峰值关态电流（在VDRM下）为60mA
- 重复峰值反向电流（在VRRM下）为60mA
- 触发所有器件所需的最大栅极电流（TJ = +25℃，VA = 6V，lA = 2A）为200mA
- 触发所有器件所需的最大栅极电压（TJ = +25℃，VA = 6V，lA = 2A）为3V
- 最大保持电流（TJ = +25℃，VA = 6V，lA = 2A）为1A
- 不会触发任何器件的最大栅极电压为0.25V
- 热阻（结到散热片，最大正向压降器件）：双侧冷却为0.044℃/W，单侧冷却为0.088℃/W
其他推荐
- 1N4444
- 550-031NF1R2E
- 2N5794A
- HTST-120-01-L-D-20
- FR40M05
- SIT1602BC-13-33S-3.570000
- SIT8209AI-21-18S-200.000000
- QR/P8-8S-C(22)
- 102114-1
- 25QHM572C0.25-5.000
- 712-87-103-41-001101
- 0336-0-15-01-34-01-04-0
- SIT9365AI-2B1-25N160.000000
- MS3186S106B
- 25QHM572C1.0-24.57696
- 99394539
- 07790000017
- SIT1602BC-71-XXN-25.000625
- SIT1602BC-33-XXN-25.000000
- SIT8208AC-81-25E-65.000000
- MDM-51PSLS-A174