商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
1214GN - 180LV是一款内部匹配的共源AB类碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN on SiC HEMT),在1200至1400 MHz频段,脉冲宽度为3ms、占空比为30%时,能够提供超过16.6dB的增益和180瓦的脉冲射频输出功率。该晶体管具有内部预匹配功能,可实现最佳性能。这款密封晶体管专为L波段雷达应用而设计。它采用镀金金属化和共晶连接技术,以确保最高的可靠性和卓越的耐用性。
商品特性
- 易于功率控制
- 集成静电放电（ESD）保护
- 出色的坚固性
- 高效率
- 出色的热稳定性
- 专为宽带操作设计（高频至1400 MHz）
- 符合关于限制有害物质（RoHS）的2002/95/EC指令
应用领域
- 工业、科学和医疗应用
- 广播发射机应用
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