PJS6800_S1_00001
2个N沟道 耐压:30V 电流:3.9A
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- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJS6800_S1_00001
- 商品编号
- C17405206
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 490pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
适用于3.1 GHz至3.5 GHz频率范围S波段雷达应用的400 W LDMOS功率晶体管。
商品特性
- 漏源导通电阻(RDS(ON)):栅源电压(VGS)为10V、漏极电流(ID)为3.9A时,小于48mΩ
- 漏源导通电阻(RDS(ON)):栅源电压(VGS)为4.5V、漏极电流(ID)为3.2A时,小于53mΩ
- 漏源导通电阻(RDS(ON)):栅源电压(VGS)为2.5V、漏极电流(ID)为2.5A时,小于66mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 专为开关负载、PWM应用等特殊设计
- 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
- 采用符合IEC 61249标准的绿色模塑化合物
应用领域
- 3.1 GHz至3.5 GHz频率范围的S波段雷达应用
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