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2N7002KDW-AU_R1_000A1
2个N沟道 耐压:60V 电流:250mA
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- 2N7002KDW-AU_R1_000A1
- 商品编号
- C17405459
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
主要为高达 80 MHz 的线性大信号输出级而设计。
商品特性
- 当VGS为10 V、ID为500 mA时,RDS(ON) < 3 Ω
- 当VGS为4.5 V、ID为200 mA时,RDS(ON) < 4 Ω
- 先进的沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
- 关断状态下漏电流极低
- 专为电池供电系统、固态继电器驱动器设计:继电器、显示器、存储器等
- 静电放电防护2KV人体模型
- 通过AEC-Q101认证
- 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
- 符合IEC 61249标准的绿色模塑料
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