温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ZXMC3A16DN8QTA
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:6.4A 电流:5.4A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMC3A16DN8QTA
- 商品编号
- C17404915
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V；48mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 970pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 116pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 166pF |
商品概述
这款20V N沟道MOSFET采用高压PowerTrench工艺，针对电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 2.5 A、20 V。在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 50 mΩ
- 在VGS = 2.5 V时，RDS(ON) = 60 mΩ
- 低栅极电荷（典型值为7.6 nC）
- 快速开关速度
- 高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
应用领域
-直流-直流转换器-电源管理功能-背光照明
相似推荐
其他推荐