DMN2025UFDB-13
2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2025UFDB-13
- 商品编号
- C17408207
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 486pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 92pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(ON),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 0.6mm厚度——适用于薄型应用
- 4平方毫米的PCB占位面积
- 低栅极阈值电压
- 快速开关速度
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑,环保型器件
应用领域
-电池管理应用-电源管理功能-DC-DC转换器
- PTKM50R-50
- SG-8018CE 29.9700M-TJHSA0
- FTLF1424P2BCR-C
- 1-350784-9
- 8D525W08PN-LC
- MLERED-A1-0000-000W02
- XTEAWT-00-0000-00000PCF6
- 3QHM53D3.0-8.004
- TFML-115-02-H-D-LC-P-TR
- 25QHM53C0.125-68.100
- SXO75C3C161-25.000M
- L1MX-409006V500000
- M85049/139-28D
- PR1-103-JTW
- SIT9365AC-1E3-28N325.000000
- SIT1602BC-23-18S-4.000000
- 629-36W4650-3NE
- MET-26
- 0325-0-15-80-34-27-10-0
- SCRH74-150
- FFAM151*1

