商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 4A | |
| 拉电流(IOH) | 2A | |
| 上升时间(tr) | 12ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 12ns | |
| 传播延迟 tpLH | 45ns | |
| 传播延迟 tpHL | 45ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 功能特性 | 使能关断 |
商品特性
- 单个封装内两个完全隔离的驱动器
- 高达5 kV RMS的输入到输出隔离
- 驱动器间高达1500 V DC的峰值差分电压
- HS/LS和双驱动器版本
- 高达8 MHz的开关频率
- 0.5 A峰值输出（Si8230/1/2/7）
- 4.0 A峰值输出（Si8233/4/5/8）
- 高电磁抗扰性
- 符合RoHS标准的封装：
- SOIC-14/16宽体
- SOIC-16窄体
- LGA-14
- QFN-14（与LGA-14封装引脚兼容）
- AEC-Q100认证
- 汽车级OPNs可用
- 符合AIAG标准的PPAP文档支持
- IMDS和CAMDS列表支持
应用领域
-
电力输送系统
-
电机控制系统
-
隔离直流-直流电源供应
-
照明控制系统
-
等离子显示器
-
太阳能和工业逆变器
-
车载充电器
-
电池管理系统
-
充电站
-
牵引逆变器
-
混合动力电动汽车
-
纯电动车辆
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- 4793.3000
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- CVR-QSFP-SFP10G-C