SI823H4CB-AS1

Si823Hx将两个隔离式栅极驱动器集成到一个封装中，适用于高功率应用。Si823Hx包含具有单控制输入或双控制输入的器件，输出可独立或为高端/低端输出。这些驱动器可在3.0 - 5.5 V的输入电源电压VDD下工作，最大驱动电源电压为30 V。 Si823Hx非常适合驱动各种开关电源和电机控制应用中使用的功率MOSFET和IGBT。这些驱动器采用了思佳讯（Skyworks）专有的硅隔离技术，支持高达5 kV_RMS的1分钟隔离电压。该技术可实现高共模瞬态抗扰度（CMTI）（>125 kV/μs）、更低的传播延迟和偏斜、随温度和时间的变化极小，以及较低的器件间匹配误差。 输出级的独特架构采用了一个升压器件，可在负载功率开关的米勒平台区域提供更高的上拉能力，以支持更快的导通时间。该系列驱动器还具备一些独特的特性，如过温保护、输出欠压锁定（UVLO）故障检测、死区时间可编程，以及在输入侧电源丢失时默认输出低电平的故障安全驱动器。与光耦栅极驱动器相比，Si823Hx系列具有更长的使用寿命和显著更高的可靠性。 提供汽车级产品。这些产品在制造过程的所有环节均采用汽车专用流程，以确保满足汽车应用所需的坚固性和低缺陷率。

• 单或双隔离驱动器集成于一个封装
• 高达5 kV_RMS隔离电压
• 驱动器间最高1500 V_DC峰值差分电压
• 用于增强安全性的EN引脚或DIS引脚选项
• PWM和双驱动器版本
• 4.0 A灌/拉峰值输出
• 高电磁抗扰度
• 最大30 ns传播延迟
• 瞬态抗扰度：>125 kV/μs
• 可编程死区时间：20 - 200 ns
• 用于滤除噪声的消抖选项
• 宽温度范围：-40至+125 ℃
• 符合RoHS标准的封装：WB SOIC - 14、DFN - 14、NB SOIC - 8、SSO - 8、NB SOIC - 16
• 通过AEC - Q100认证
• 提供汽车级产品型号
• 支持符合AIAG标准的生产件批准程序（PPAP）文档
• 支持IMDS和CAMDS列表

• 电力传输系统
• 电机控制系统
• 隔离式直流 - 直流电源
• 照明控制系统
• 太阳能和工业逆变器
• 车载充电器
• 牵引逆变器
• 电池管理系统
• 混合动力电动汽车
• 充电站
• 纯电动汽车