商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 2.4A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 65V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 直流电流增益(hFE) | - | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 3V |
商品特性
- NPN硅微波功率晶体管,共基极配置
- 宽带C类工作模式,采用高效叉指式结构和扩散发射极镇流电阻
- 金金属化系统
- 内部输入和输出阻抗匹配,采用密封金属/陶瓷封装,符合RoHS标准
- SIT9365AC-4B3-28N100.000000
- MLCSWT-A1-0000-0000DT
- M22XP-ASF01-E30-G
- SG-8018CB 156.261718M-TJHSA0
- 51052-0800
- SIT8208AC-GF-18S-66.666600T
- FMA7AT148
- NBR-0084
- HCB1175-401
- 104130-3
- 5022-272J
- 557T071M131C-32
- 3LP03M-TL-E
- LTMM-112-02-L-D-SM-K
- 3-647108-9
- MDM-51PLT1P
- BPSC00131345390M00
- SIT8208AC-2F-18S-33.330000T
- 1511174408
- SJA1105TEL518
- SG-8018CB 64.8000M-TJHPA0

