3LP03M-TL-E
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC@4V | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 8pF |
商品特性
- 低导通电阻
- 高速开关
- 2.5V驱动
- 高ESD电压(典型值300V)
- 内置单边二极管,用于栅极-源极间保护
- LTMM-112-02-L-D-SM-K
- 3-647108-9
- MDM-51PLT1P
- BPSC00131345390M00
- SIT8208AC-2F-18S-33.330000T
- 1511174408
- SJA1105TEL518
- SG-8018CB 64.8000M-TJHPA0
- SIT1602BI-23-XXS-28.636300
- SIT8208AI-2F-28E-19.440000Y
- SIT9121AI-2D3-25S140.000000
- SG-8018CA 18.217188M-TJHSA0
- L150-35805024000H0
- MIC5335-SFYMT
- DD12.1111.111
- 628-24W7222-5N1
- 6350
- SIT8009BI-81-33S-125.000000
- 570BCC001468DG
- 8679-0-15-15-16-27-10-0
- 516-020-540-405