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APT35GA90BD15

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品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: APT35GA90BD15
商品编号: C17397375
商品封装: TO-247
包装方式: 管装
商品毛重: 7.562克(g)

商品参数

商品概述

POWER MOS 8（圆圈内有一横）是一种高速穿通型开关模式 IGBT。通过领先的硅设计技术和寿命控制工艺实现了低 Eoff。与其他 IGBT 技术相比，降低了 Eoff - VCE(ON) 的权衡，从而实现了卓越的效率。低栅极电荷和大幅降低的 Cres/Cies 比值提供了出色的抗噪能力、短延迟时间和简单的栅极驱动。多晶硅栅结构的固有芯片栅极电阻和电容有助于在开关过程中控制 di/dt，即使在高频开关时也能实现低 EMI。

商品特性

快速开关且低 EMI
极低的 Eoff 以实现最大效率
超低的 Cres 以提高抗噪能力
低传导损耗
低栅极电荷
增加固有栅极电阻以降低 EMI
符合 RoHS 标准

应用领域

ZVS 移相及其他全桥电路、半桥电路、高功率 PFC 升压、焊接、UPS、太阳能及其他逆变器、高频高效工业应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	IGBT管/模块
	IGBT类型	PT(穿通型)
	耗散功率(Pd)	290W
	集射极击穿电压(Vces)	900V
	集电极电流(Ic)	63A

	属性	参数值
	栅极阈值电压(Vge(th))	3.1V@15V,18A
	栅极电荷量(Qg)	84nC
	开启延迟时间(Td(on))	12ns
	关断延迟时间(Td(off))	104ns
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)