- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MSCGLQ75DDU120CTBL3NG
MSCGLQ75DDU120CTBL3NG
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- MSCGLQ75DDU120CTBL3NG
- 商品编号
- C17400384
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | IGBT模块 | |
| 耗散功率(Pd) | 470W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 160A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 250A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.05V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 325nC@960V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 4.4nF | |
| 输出电容(Coes) | 250pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 235pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 30ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 366ns | |
| 导通损耗(Eon) | 3.84mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 3.84mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
MSCGLQ75DDU120CTBL3NG器件是一款1200 V/75 A双对偶共发射极高速度IGBT4功率模块。所有额定值在结温T_J = 25~°C时给出，除非另有说明。注意：这些器件对静电放电敏感，必须遵循正确的处理程序。
商品特性
- 高速IGBT4：低压降、低漏电流、低开关损耗
- SiC肖特基二极管：零反向恢复、零正向恢复、温度无关的开关特性、正向电压V_F具有正温度系数
- 超轻重量和超薄外形
- 开尔文发射极，便于驱动
- 采用厚铜Si₃N₄基板，提高热性能
- 内置热敏电阻，用于温度监测
- 扩展的温度范围
应用领域
高可靠性电源系统、交流开关
- 662303135922
- LFSPXO009686REEL
- SFH210-PPJC-D15-ID-BK-M181
- CBC17W2M10Z00/AA
- RCS2012J910CS
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