FDN371N
FDN371N
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDN371N
- 商品编号
- C17394105
- 商品封装
- TO-236-3(SOT-23-3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 815pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 106pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 197pF |
商品特性
- 2.5 A、20 V。在VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 50 mΩ
- 在VGS = 2.5 V时,RDS(ON) = 60 mΩ
- 低栅极电荷(典型值为7.6 nC)
- 快速开关速度
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
应用领域
-负载开关-电池保护-电源管理
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