Name: ETRON(钰创) EM6OE08NW9A-07H
Brand: ETRON(钰创)
SKU: C17390160
Price: 42.87 CNY
Availability: OutOfStock

符合JEDEC标准
快速时钟速率：1200/1333MHz
电源：
- VDD和VDDQ = +1.2V ± 0.06V
- VPP = +2.5V - 0.125V / + 0.25V
工作温度范围：
- 正常工作温度：TC = 0 ~ 85°C
- 扩展温度：TC = 85 ~ 95°C
支持JEDEC时钟抖动规范
双向差分数据选通，DQS和DQS#
差分时钟，CK和CK#
16个内部存储体：每组4个存储体，共4组
按存储体组分离的IO门控结构
8n位预取架构
预充电和主动掉电
自动刷新和自刷新
低功耗自动自刷新（LPASR）
自刷新中止
精细粒度刷新
动态片上终端（RTT PARK、RTT_Nom和RTT_WR）
写电平校准
通过MPR进行DQ训练
支持1tCK和2tCK模式的可编程前导码
命令/地址（CA）奇偶校验
数据总线写循环冗余校验（CRC）
内部VREFDQ训练
读前导码训练
控制降速模式
每个DRAM可寻址性（PDA）
输出驱动器阻抗控制
动态片上终端（ODT）
输入数据掩码（DM）和数据总线反相（DBI）
ZQ校准
命令/地址延迟（CAL）
最大节能模式（MPSM）
异步复位
DLL启用/禁用
突发长度（BL8/BC4/BC4或8动态选择）
突发类型：顺序/交错
CAS延迟（CL）
CAS写延迟（CWL）
附加延迟（AL）：0、CL - 1、CL - 2
平均刷新周期：
- 8192周期/64ms（在0°C ≤ TC ≤ +85°C时为7.8us）
- 8192周期/32ms（在+85°C ≤ TC ≤ +95°C时为3.9us）
数据接口：伪开漏（POD）
符合RoHS标准
硬封装后修复（hPPR）
软封装后修复（sPPR）
封装：无铅和无卤素 - 78球7.5×10.6×1.2mm FBGA

	属性	参数值
	工作电流	-
	刷新电流	-
	工作温度	0℃~+85℃
	功能特性	写入均衡功能；自动自刷新；CRC功能；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能

EM6OE08NW9A-07H

商品参数