AS4C8M16SB-6TINTR
8M x 16位同步动态随机存取存储器
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- 品牌名称
- Alliance Memory
- 商品型号
- AS4C8M16SB-6TINTR
- 商品编号
- C17390178
- 商品封装
- TSOP-54-10.2mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 同步动态随机存取内存(SDRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动预充电;自动刷新;高速时钟同步 |
商品概述
AS4C8M16SB SDRAM是一款高速CMOS同步DRAM,容量为128 Mbits。它内部配置为4个存储体,每个存储体有2M字×16位,具有同步接口(所有信号在时钟信号CLK的上升沿进行寄存)。对SDRAM的读写访问是突发式的;访问从选定位置开始,并按照编程的顺序在编程的位置数量上继续进行。访问从BankActivate命令的寄存开始,随后是读或写命令。
AS4C8M16SB提供可编程的读或写突发长度,分别为1、2、4、8或整页,并具有突发终止选项。可以启用自动预充电功能,以提供在突发序列结束时启动的自定时行预充电。刷新功能(自动刷新或自刷新)易于使用。通过可编程模式寄存器,系统可以选择最合适的模式以最大化其性能。这些器件非常适合需要高内存带宽的应用,尤其适合高性能PC应用。
商品特性
- 时钟访问时间快:5 ns
- 时钟速率快:166 MHz
- 全同步操作
- 内部流水线架构
- 2M字×16位×4存储体
- 可编程模式寄存器
- CAS延迟:2或3
- 突发长度:1、2、4、8或整页
- 突发类型:顺序或交错
- 突发停止功能
- 自动刷新和自刷新
- 4096次刷新周期/64ms
- CKE掉电模式
- 单+3.3V ± 0.3V电源供电
- 工作温度:TA = -40 ~ 85°C(工业级)
- 接口:LVTTL
- 封装:无铅无卤
- 54引脚400密耳塑料TSOP II
- NDD58PFD-2AET TR
- IS46TR16K01S2AL-125KBLA2
- SI5338C-B05363-GM
- NDQ46PFP-8NET
- EM68B16CWQK-25H
- SI5338B-B06993-GM
- SKY66118-11EK1
- MAX2014EVKIT#
- N7E50-M516RB-40
- 516-056-520-635
- PTS120602B1K00PU00
- 516-056-541-502
- 1-5-1170
- RSSD25138AR100MB06
- ATP04-6P-BM13
- ST-2-28
- 516-090-540-365
- E50RA-FW500-C
- SPCM-AQRH-13-BR1
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- 516-038-520-230
