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AS4C32M16D3L-12BINTR

32M x 16 bit DDR3L 同步动态随机存取存储器

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品牌名称: Alliance Memory
商品型号: AS4C32M16D3L-12BINTR
商品编号: C17390141
商品封装: FBGA-96(8x13)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.414克(g)

商品参数

	属性	参数值
	工作电流	-
	刷新电流	-
	工作温度	-40℃~+95℃
	功能特性	写入均衡功能；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接

商品概述

512Mb双数据速率3L（DDR3L）动态随机存取存储器采用双数据速率架构，以实现高速运行。它内部配置为八组DRAM。512Mb芯片被组织为4Mbit x 16个输入/输出 x 8组设备。这些同步设备在一般应用中可实现高达1600Mb/秒/引脚的高速双数据速率传输。该芯片设计符合所有关键的DDR3L DRAM特性，所有控制和地址输入与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟的交叉点（CK上升和CK#下降）锁存。所有输入/输出以源同步方式与差分DQS对同步。这些设备使用单一的1.35V -0.067V / +0.1V电源供电，并采用BGA封装。DDR3L SDRAM是一种高速动态随机存取存储器，内部配置为八组DRAM。DDR3L SDRAM采用8n预取架构以实现高速运行。8n预取架构与一个接口相结合，该接口设计为在输入/输出引脚每个时钟周期传输两个数据字。DDR3L SDRAM的单次读写操作包括在内部DRAM核心进行一次8n位宽、四个时钟的数据传输，以及在输入/输出引脚进行两次相应的n位宽、半个时钟周期的数据传输。对DDR3L SDRAM的读写操作是面向突发的，从选定位置开始，并按照编程序列连续进行八个突发长度或四个“截断”突发。操作从激活命令的注册开始，随后是读或写命令。与激活命令同时注册的地址位用于选择要激活的组和行（BA0 - BA2选择组；A0 - A11选择行）。与读或写命令同时注册的地址位用于选择突发操作的起始列位置，确定是否要发出自动预充电命令（通过A10），并在模式寄存器启用的情况下“即时”选择BC4或BL8模式（通过A12）。在正常操作之前，DDR3L SDRAM必须以预定义的方式上电并初始化。以下部分提供了有关设备复位和初始化、寄存器定义、命令描述和设备操作的详细信息。

商品特性

符合JEDEC标准
电源：VDD和VDDQ = +1.35V (1.283V ~ 1.45V)
向后兼容VDD和VDDQ = +1.5V ± 0.075V
工作温度：
- 商用：TC = 0 ~ 95°C
- 工业用：TC = -40 ~ 95°C
支持JEDEC时钟抖动规范
全同步操作
快速时钟速率：800MHz
差分时钟，CK和CK#
双向差分数据选通 - DQS和DQS#
8个内部组用于并发操作
8n位预取架构
流水线内部架构
预充电和主动掉电
可编程模式和扩展模式寄存器
附加延迟（AL）：0、CL - 1、CL - 2
可编程突发长度：4、8
突发类型：顺序/交错
输出驱动器阻抗控制
平均刷新周期：
- 8192周期/64ms（在 -40°C ≤ TC ≤ +85°C时为7.8us）
- 8192周期/32ms（在 +85°C ≤ TC ≤ +95°C时为3.9us）
写电平调整
ZQ校准
动态片上终端（Rtt_Nom和Rtt_WR）
符合RoHS标准
自动刷新和自刷新
96球8×13×1.0mm FBGA封装
无铅和无卤素

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	DDR SDRAM
	存储器构架(格式)	DDR3 SDRAM
	时钟频率(fc)	800MHz
	存储容量	512Mbit
	工作电压	1.283V~1.45V