APTC60DDAM70T1G
2个N沟道 耐压:600V 电流:39A
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APTC60DDAM70T1G
- 商品编号
- C17389502
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 39A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V,39A | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V@2.7mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 259nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.56nF |
商品特性
-功率半导体-超低导通态漏源电阻(RDSon)-低米勒电容-超低栅极电荷-具备雪崩能量额定值-坚固耐用-极低杂散电感-对称设计-内置用于温度监测的热敏电阻-高度集成
应用领域
-交直流电机控制-开关模式电源-功率因数校正
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