- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
APTM120UM70FAG
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:171A
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APTM120UM70FAG
- 商品编号
- C17389894
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 171A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.65uC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 43.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 6.6nF |
商品特性
- 漏源击穿电压（V_DSS） = 1200V
- 导通电阻（R_DSon） = 70mΩ（典型值，结温Tj = 25°C）
- 漏极电流（I_D） = 171A（壳温Tc = 25°C）
- 源极电流（I_S） ≤ -171A，电流变化率（di/dt） ≤ 700A/μs，反向电压（V_R） ≤ 漏源击穿电压（V_DSS），结温（T_j） ≤ 150°C
- SG-8018CE 31.3344M-TJHPA0
- W92050C-01-TL
- L128-3080EB3500002
- 25QHM53C0.125-60.000
- VS-VSKT26/12
- 628-3WK3622-3T1
- STMM-120-02-L-D-RA
- SFP-10G-T-HP-C
- SIT8208AI-33-25E-19.200000
- 1719770108
- SG-8018CB 134.7840M-TJHSA0
- FR607T-G
- 0704003084
- ALD114913SAL
- RC1005F4991CS
- SIT1602BC-31-25N-4.096000
- SG-8018CA 50.0270M-TJHSA0
- SIT1602BC-13-25N-72.000000
- 1415761
- 2727-16J
- 662016231822