DMN2024UTS-13
2个N沟道 耐压:20V 电流:6.2A 电流:15.2A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2024UTS-13
- 商品编号
- C17388715
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.39W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 647pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 78pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准,有生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于背光照明、电源管理功能和DC-DC转换器。
商品特性
-低栅极阈值电压-低导通电阻-栅极具备ESD保护-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-电池管理应用-电源管理功能-DC-DC转换器

