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DMC2053UFDBQ-7
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:4.6A
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- 描述
- 此MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，适用于高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMC2053UFDBQ-7
- 商品编号
- C17393250
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042409克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.14W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.7nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 440pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品特性
- 4mm2的PCB占位面积
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 薄型设计,最大高度0.6mm
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用;符合AEC-Q101标准,可提供生产件批准程序(PPAP)文件,且在通过IATF 16949认证的工厂生产
应用领域
-负载开关-电源管理功能-便携式电源适配器