温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMC2053UFDBQ-7
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:4.6A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，适用于高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMC2053UFDBQ-7
- 商品编号
- C17393250
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042409克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.14W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.7nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 440pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品特性
- 超低导通电阻RDSon
- 低米勒电容
- 超低栅极电荷
- 雪崩能量额定
- 极低杂散电感
- 开尔文源极，便于驱动
- 内置热敏电阻，用于温度监测
- 高度集成
- 优化导通和开关损耗
- 可直接安装到散热器（隔离封装）
- 结到外壳的热阻低
- 电源和信号引脚均可焊接，便于PCB安装
- 薄型设计
- 由于VCEsat正温度系数，易于并联
- 符合RoHS标准
应用领域
- 太阳能转换器