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NCP81155MNTXG实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCP81155MNTXG

NCP81155MNTXG

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描述
NCP81155 是一款高性能双 MOSFET 门极驱动器,采取小巧的 3 mm x 3 mm 封装,经过优化,可驱动降压或降压-升压应用中的高压侧和低压侧电源 MOSFET。电源电压较低时,VCC UVLO 可确保 MOSFET 关闭。检测到 UVLO 故障时,双向启用引脚会向控制器提供故障信号。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NCP81155MNTXG
商品编号
C173765
商品封装
DFN-8-EP(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.185克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)1.4mA
工作电压4.5V~13.2V
属性参数值
上升时间(tr)16ns
下降时间(tf)11ns
传播延迟 tpHL13ns
特性欠压保护(UVP)
工作温度-10℃~+125℃

商品概述

NCP81155是一款高性能双MOSFET栅极驱动器,采用3 mm x 3 mm小型封装,针对降压或降压-升压应用中驱动高端和低端功率MOSFET的栅极进行了优化。VCC欠压锁定(UVLO)功能确保在电源电压较低时MOSFET处于关断状态。当检测到UVLO故障时,双向使能引脚会向控制器提供故障信号。

商品特性

  • 节省空间的3 mm x 3 mm DFN8热增强型封装
  • VCC范围为4.5 V至13.2 V
  • 集成自举二极管
  • 兼容3.3 V和5 V PWM输入
  • 双向使能功能,在UVLO故障期间将使能引脚拉低
  • 自适应抗交叉导通电路,可防止FET导通和关断期间出现交叉导通
  • 输出禁用控制可关断两个MOSFET
  • VCC欠压锁定
  • 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准

应用领域

  • 电子烟
  • 无人机(UAV)

数据手册PDF