商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 3A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 直流电流增益(hFE) | 50@500mA,1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 1uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@2.5A,250mA | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个NPN |
商品特性
- 密封TO - 5金属罐封装
- 也提供芯片形式
- 芯片几何尺寸1506
- 参考文件：MIL - PRF - 19500/349
应用领域
- 通用开关晶体管
- 低功耗
- NPN硅晶体管
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