- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DDTA114ECAQ-13-F
DDTA114ECAQ-13-F
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DDTA114ECAQ-13-F
- 商品编号
- C17378583
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 晶体管类型 | - | |
| 直流电流增益(hFE) | 30 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | - | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 3V@10mA,0.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 500mV@0.1mA,5V | |
| 输出电压(VO(on)) | 300mV@10mA,0.5mA | |
| 输入电阻 | 10kΩ | |
| 电阻比率 | 1 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - |
商品特性
- 外延平面芯片结构
- 提供互补NPN类型（DDTC）
- 内置偏置电阻，R1 = R2
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
- 具备生产件批准程序（PPAP）能力
- MLCSWT-H1-0000-000WE8
- HS4102
- LTMM-115-02-G-D-SM-LC-TR
- 535961-1
- SCM159100L
- CTSPI3D18F-4R7M
- AFCT-5715PZ-IC1-C
- MMDT3904TB6_R1_00001
- TFM-120-01-H-D-WT
- 5747835-4
- 1724479402
- SG-8018CA 157.9400M-TJHPA0
- SG-8018CA 83.3300M-TJHSA0
- PR2-5R6-JTW
- 12810050
- SIT1602AC-72-18S-25.000000
- SIT1602BC-72-18N-40.000000
- SG-8018CE 11.1300M-TJHSA0
- SIT8208AC-G2-28E-32.768000X
- SIT8208AC-33-33S-65.000000
- SIT8209AI-21-33E-112.500000