商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 2个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 晶体管类型 | - | |
| 直流电流增益(hFE) | 100 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 最小输入电压(VI(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | - | |
| 输出电压(VO(on)) | - | |
| 输入电阻 | - | |
| 电阻比率 | 1 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 0.5uA |
商品特性
-外延平面芯片结构-提供互补NPN类型(DDC)-内置偏置电阻-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件-符合AEC-Q101高可靠性标准
- 1761609-7
- 944PC
- SSF-LXH100MYD
- M80-5T11205M1-06-331-00-000
- SIT9365AI-4E2-25E50.000000
- GT13/5-2/1S-R
- MDM-31SSM6
- CMCP1100SR-10-00-00
- TFM-140-12-L-D
- QLSP07ZCE
- AIC12-12PG
- M6P-BMS2-06ER
- SIT8208AC-2F-25S-28.636300X
- ES1AL RVG
- 342-10-133-00-594000
- SIT9365AC-2B2-25N74.250000
- GLK240128-25-WB-VPT-E
- SIT1602BI-81-30E-40.000000
- AWHW 26G-SMD-200
- GCM2195G1H751JA16D
- XTEAWT-E0-0000-00000BGE7


