- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SQJ202EP-T2_GE3
2个N沟道 耐压:12V 电流:60A 电流:20A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJ202EP-T2_GE3
- 商品编号
- C17378430
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.248克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.525nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 855pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.645nF |
商品特性
- 沟槽场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准且无卤素
- PowerPAK SO-8L双不对称封装
应用领域
- 电源-照明
- SIT9003AI-13-33EO-50.0000Y
- XPEBWT-L1-0000-00AF6
- MS27511B10NL
- 1718573002
- SIT8208AC-8F-18S-38.400000T
- B512-2T-YDA
- 09185347913
- GCM1885C1H622GA16D
- 800-10-009-10-007000
- SIT8208AC-GF-28S-77.760000Y
- SIT8209AC-82-33E-125.000000
- EHT-108-01-SM-D-SM-TR
- EVAL-CN0288-SDPZ
- EJH-125-01-L-D-SM-LC-P
- 629-27W2250-4T2
- SIT8208AI-2F-33S-33.300000T
- RL2006-13.3K-140-D1
- 629-36W4650-3N1
- 12.8-1
- 656M5004I2T
- 1731100191