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SQJ202EP-T2_GE3
2个N沟道 耐压:12V 电流:60A 电流:20A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJ202EP-T2_GE3
- 商品编号
- C17378430
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.248克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.525nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 855pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.645nF |
商品特性
- 超结技术
- 因品质因数小而具备高性能
- 高耐用性
- 高换向性能
- 无铅电镀
- 符合欧盟指令 2011/65/EU 的 RoHS 标准，并符合 WEE 2002/96/EC 标准
- 根据 IEC 61249-2-21 定义为无卤产品
- 无铅
- 符合标准
- 无卤
应用领域
- 电源-照明
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