SQJB44EP-T1_GE3
2个N沟道 耐压:40V 电流:30A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJB44EP-T1_GE3
- 商品编号
- C17380633
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.7mΩ@10V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.075nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 755pF |
商品特性
- 低导通电阻
- 小型表面贴装封装 (TSMT8)
- 无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准
- 无卤素
应用领域
- 开关应用
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