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DMN4010LFG-13
1个N沟道 耐压:40V 电流:11.5A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN4010LFG-13
- 商品编号
- C17377504
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V,11A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.81nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 112pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 135pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合用于诸如背光照明、电源管理功能、DC-DC转换器等高效电源管理应用。
商品特性
- 低RDS(ON) - 确保导通状态损耗最小化
- 小巧外形、热效率高的封装，可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO-8封装33%的电路板面积，可使终端产品更小
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
- 通过AEC-Q101标准认证，具备高可靠性
应用领域
- 背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器