W9864G2JB-6 TR

W9825G6KH是一款高速同步动态随机存取存储器（SDRAM），组织形式为4M字×4个存储体×16位。W9825G6KH的数据带宽高达每秒2亿字。为完全符合个人计算机行业标准，W9825G6KH分为以下速度等级：-5、-5I、-6、-6I、-6J、-6L、-75、75J和75L。-5/-5I等级的部件符合200MHz/CL3规范（-5I工业级保证支持-40°C ≤ TA ≤ 85°C）。-6/-6I/-6J/-6L等级的部件符合166MHz/CL3规范（-6I工业级保证支持-40°C ≤ TA ≤ 85°C，-6J工业增强级保证支持-40°C ≤ TA ≤ 105°C）。-75/75J/75L等级的部件符合133MHz/CL3规范（75J工业增强级保证支持-40°C ≤ TA ≤ 105°C）。-6L和75L等级的部件支持自刷新电流IDD6最大值为1.5mA。对SDRAM的访问是突发式的。当通过激活命令选择一个存储体和行时，一页内的连续存储位置可以以1、2、4、8或整页的突发长度进行访问。在突发操作中，列地址由SDRAM内部计数器自动生成。通过在每个时钟周期提供其地址，也可以进行随机列读取。多存储体特性使内部存储体之间能够进行交错操作，以隐藏预充电时间。通过可编程模式寄存器，系统可以更改突发长度、延迟周期、交错或顺序突发，以最大化其性能。W9825G6KH非常适合用于高性能应用的主存储器。

• 3.3V ± 0.3V电源供电
• 高达200MHz时钟频率
• 4,194,304字×4个存储体×16位组织形式
• 自刷新模式：标准和低功耗
• CAS延迟：2和3
• 突发长度：1、2、4、8和整页
• 突发读取、单写入模式
• 字节数据由LDQM、UDQM控制
• 掉电模式
• 自动预充电和可控预充电
• 8K刷新周期/64ms，@ -40°C ≤ TA ≤ 85°C
• 8K刷新周期/16ms，@ 85°C < TA ≤ 105°C
• 接口：LVTTL
• 采用TSOP II 54引脚、400密耳 - 0.80封装，使用符合RoHS标准的无铅材料