AS4C32M16D1-5BAN
32M x 16 bit DDR同步动态随机存取存储器
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- 品牌名称
- Alliance Memory
- 商品型号
- AS4C32M16D1-5BAN
- 商品编号
- C17377230
- 商品封装
- FBGA-60(8x13)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 200MHz | |
| 存储容量 | 512Mbit | |
| 工作电压 | 2.3V~2.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 功能特性 | 自动预充电功能；数据掩码功能 |
商品概述
AS4C32M16D1 - 5BAN SDRAM是一款高速CMOS双数据速率同步DRAM，容量为512 Mbits。它内部配置为四个8M x 16的DRAM，具有同步接口（所有信号在时钟信号CK的上升沿进行寄存）。数据在CK和CK的上升沿输出。对SDRAM的读写访问是突发式的；访问从选定位置开始，并按照编程的顺序持续访问编程数量的位置。访问从激活存储体命令的寄存开始，随后是读或写命令。 AS4C32M16D1 - 5BAN提供可编程的读或写突发长度，分别为2、4或8。可以启用自动预充电功能，以在突发序列结束时启动自定时行预充电。刷新功能（自动刷新或自刷新）易于使用。此外，AS4C32M16D1 - 5BAN具有可编程DLL选项。通过拥有可编程模式寄存器和扩展模式寄存器，系统可以选择最合适的模式以最大化其性能。这些器件非常适合需要高内存带宽的应用；特别适用于高性能主内存和图形应用。
商品特性
- 快速时钟速率：200MHz
- 符合AEC - Q100标准
- 差分时钟CK和CK
- 双向DQS
- 通过EMRS启用/禁用DLL
- 完全同步操作
- 内部流水线架构
- 四个内部存储体，每个存储体为8M x 16位
- 可编程模式和扩展模式寄存器 - CAS延迟：2、2.5、3
- 突发长度：2、4、8
- 突发类型：顺序和交错
- 独立字节写入掩码控制
- DM写入延迟 = 0
- 自动刷新和自刷新
- 当TA > 85°C时不支持自刷新功能
- 每16ms进行8192次刷新周期
- 预充电和主动掉电
- 电源：VDD和VDDQ = 2.5V ± 0.2V
- 汽车级温度范围：TA = -40°C ~ 105°C
- 接口：SSTL_2 I/O接口
- 封装：无铅和无卤素
- 60球，8×13×1.2mm（最大）FBGA封装