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IAUC60N04S6N031HATMA1
1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
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- 描述
- 特性：适用于汽车应用的功率MOSFET-半桥。 N沟道。 增强模式。 正常电平。 AEC Q101认证。 MSL1，最高260°C峰值回流温度。 175°C工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUC60N04S6N031HATMA1
- 商品编号
- C17374768
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.282058克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.1mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@25uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.922nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 588pF |
商品特性
- 低导通电阻
- 高功率封装
- 1.5V驱动
应用领域
- 开关应用
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