温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IAUC60N04S6N031HATMA1
1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：适用于汽车应用的功率MOSFET-半桥。 N沟道。 增强模式。 正常电平。 AEC Q101认证。 MSL1，最高260°C峰值回流温度。 175°C工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUC60N04S6N031HATMA1
- 商品编号
- C17374768
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.282058克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.922nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 588pF |
商品特性
- 用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET
- 半桥 - N沟道 - 增强型 - 正常电平
- 通过AEC Q101认证
- 最高260°C峰值回流温度下达到MSL1
- 工作温度175°C
- 绿色产品(符合RoHS标准)
- 100%雪崩测试
应用领域
- 开关应用
- 140-508-417-060
- 627-36W4624-4TD
- SIT8208AC-23-33E-62.500000
- 7447629047
- P1330R-122J
- 09300165418
- XPGBWT-L1-R250-00GZ5
- 6-292133-3
- SG-8018CG 56.0000M-TJHPA0
- SIT1602BIL13-18E-38.400000
- SE30PAJ-M3/I
- BZX384C62-HE3-08
- 70M-ODC24
- 0009652098
- 8T024B19PA-LC
- VPDP202W222K1GV001E
- SWR25X-NRTC-S07-RB-BA
- XPGBWT-01-0000-00LF5
- 714-83-138-41-014101
- GMA.3B.050.DV
- 628-25W3224-2N4