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1IRF3710PBF

1IRF3710PBF

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商品型号
1IRF3710PBF
商品编号
C17375834
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.718克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)57A
导通电阻(RDS(on))23mΩ@10V,28A
耗散功率(Pd)200W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)130nC@10V
输入电容(Ciss)3.13nF
反向传输电容(Crss)72pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)410pF

商品概述

国际整流器公司的先进HEXFET功率MOSFET采用先进的工艺技术,实现了极低的单位硅面积导通电阻。这一优势结合HEXFET功率MOSFET所知名的快速开关速度和坚固的器件设计,为设计师提供了一种极其高效且可靠的器件,适用于各种广泛的应用。

TO-220封装在功率耗散达到约50瓦的所有商业工业应用中被普遍优选。TO-220的低热阻和低成本促使其在整个行业中得到广泛应用。

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