1IRF3710PBF
1IRF3710PBF
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- 1IRF3710PBF
- 商品编号
- C17375834
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 57A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V,28A | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 72pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 410pF |
商品概述
国际整流器公司的先进HEXFET功率MOSFET采用先进的工艺技术,实现了极低的单位硅面积导通电阻。这一优势结合HEXFET功率MOSFET所知名的快速开关速度和坚固的器件设计,为设计师提供了一种极其高效且可靠的器件,适用于各种广泛的应用。
TO-220封装在功率耗散达到约50瓦的所有商业工业应用中被普遍优选。TO-220的低热阻和低成本促使其在整个行业中得到广泛应用。
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