- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STU6N65M2-S
1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STU6N65M2-S
- 商品编号
- C17373280
- 商品封装
- IPAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.35Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 226pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
- SIT8208AC-GF-18E-33.330000Y
- SC441303MFU
- RCS1608F2801CS
- GCM155L81E822MA37D
- SIT8208AC-32-25S-28.636300
- VOM618A-1T
- DDM-50P-F
- 2-2289724-0
- SSF-LXH534IUSBGYD
- 627-3W3-622-5TA
- SIT1602BC-21-18N-62.500000
- AWH 50G-0232-T
- 5204-0032-10
- 1-292165-0
- SG-8018CE 1.3800M-TJHSA0
- 135-R15-JBW
- C3390-24.576
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- SIT9365AC-4E3-33E168.040678
- SSM6N16FE,L3F
- 0713491050