SSM6N16FE,L3F
2个N沟道 耐压:20V 电流:100mA
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6N16FE,L3F
- 商品编号
- C17373305
- 商品封装
- SOT-563(SOT-666)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15Ω@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 封装紧凑,适合高密度贴装
- 低导通电阻:Ron = 3.0 Ω(最大值)(@VGS = 4 V)
- Ron = 4.0 Ω(最大值)(@VGS = 2.5 V)
- Ron = 15 Ω(最大值)(@VGS = 1.5 V)
应用领域
-高速开关应用-模拟开关应用
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