ALD110808PCL
4个N沟道 耐压:10.6V 电流:12mA 电流:3mA
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- 品牌名称
- ALD
- 商品型号
- ALD110808PCL
- 商品编号
- C17373000
- 商品封装
- PDIP-16
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 4个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500Ω | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 820mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.1pF | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻RDS(on) 降至最低,同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 增强型(常开)
- 标准栅极阈值电压:+0.80V
- MOSFET之间特性匹配
- 批次间参数控制严格
- 低输入电容
- VGS(th)匹配至2mV和10mV
- 高输入阻抗 — 典型值为10^12 Ω
- VGS(th)温度系数为正、零和负
- 直流电流增益 >10^8
- 低输入和输出泄漏电流
应用领域
-精密电流镜-精密电流源-电压斩波器-差分放大器输入级-电压比较器-电压偏置电路-采样与保持-模拟反相器-电平转换器-源极跟随器和缓冲器-电流倍增器-模拟开关/多路复用器
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