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ALD110808PCL实物图
  • ALD110808PCL商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ALD110808PCL

4个N沟道 耐压:10.6V 电流:12mA 电流:3mA

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品牌名称
ALD
商品型号
ALD110808PCL
商品编号
C17373000
商品封装
PDIP-16​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量4个N沟道
漏源电压(Vdss)10V
连续漏极电流(Id)12mA
导通电阻(RDS(on))500Ω
耗散功率(Pd)500mW
阈值电压(Vgs(th))820mV
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)2.5pF
反向传输电容(Crss)0.1pF
工作温度0℃~+70℃
类型N沟道
输出电容(Coss)-

商品概述

这款MOSFET旨在将导通电阻RDS(on) 降至最低,同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 增强型(常开)
  • 标准栅极阈值电压:+0.80V
  • MOSFET之间特性匹配
  • 批次间参数控制严格
  • 低输入电容
  • VGS(th)匹配至2mV和10mV
  • 高输入阻抗 — 典型值为10^12 Ω
  • VGS(th)温度系数为正、零和负
  • 直流电流增益 >10^8
  • 低输入和输出泄漏电流

应用领域

-精密电流镜-精密电流源-电压斩波器-差分放大器输入级-电压比较器-电压偏置电路-采样与保持-模拟反相器-电平转换器-源极跟随器和缓冲器-电流倍增器-模拟开关/多路复用器

数据手册PDF