ALD910016SALI

ALD810016/ALD910016 是 ALD8100xx(四通道)和 ALD9100xx(双通道)超级电容器自动平衡 MOSFET(即 SAB MOSFET)系列的成员。SAB MOSFET 采用经过生产验证的 EPAD 技术制造,旨在解决串联连接的超级电容器的电压和漏电流平衡问题。超级电容器,也称为超级电容或法拉电容,通过在每个超级电容器组两端连接一个或多个器件的组合,可以实现串联连接时的漏电流平衡,防止过电压。 每个 SAB MOSFET 在 Vt 模式下具有精确的栅极阈值电压,当栅 - 漏源极端子(VGS = VDS)连接在一起且漏源电流 IDS(ON) = 1μA 时,该阈值电压为 1.60V。不同的输入电压 VIN 会产生输出电流 IOUT = IDS(ON) 特性,从而形成一个有效可变电阻,其阻值随 VIN 呈指数变化。当该 VIN 连接到串联的每个超级电容器两端时,可将每个超级电容器的电压和电流控制在其限制范围内。 ALD810016/ALD910016 的导通电阻与电压相关特性,在跨接超级电容器时能有效控制其电压过度上升。在串联连接的超级电容器组中,当一个超级电容器的电压上升时,其他超级电容器的电压会下降,漏电流最大的超级电容器电压最低。跨接在这些超级电容器两端的 SAB MOSFET 会呈现互补的反向电流水平,除了超级电容器自身产生的漏电流外,几乎不会产生额外的漏电流。

• 使用简单且经济
• 工厂精确微调
• 自动调节和平衡漏电流
• 有效实现超级电容器充电平衡
• 单个 IC 封装可平衡多达 4 个超级电容
• 平衡 2 节、3 节、4 节串联的超级电容
• 可扩展至更大的超级电容组和阵列
• 几乎零额外漏电流
• 在额定电压以下 0.3V 时零漏电流
• 平衡串联和/或并联连接的超级电容
• 漏电流是电池电压的指数函数
• 有源电流范围从 < 0.3 nA 到 >1000 μA
• 始终处于工作状态,响应时间快
• 最小化漏电流和功耗

-串联超级电容器单元漏电流平衡-能量收集-带超级电容器输出的长期备用电池-选定电压下的零功耗分压器-匹配电流镜和电流源-零功耗模式最大电压限制器-可扩展的超级电容器组和阵列