商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 278A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 780W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 700nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 20nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.9nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 8nF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它通过了AEC-Q101认证，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：背光照明、电源管理功能、DC-DC转换器。
商品特性
- 功率MOS V型MOSFET
- 低导通电阻(RDSon)
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 有雪崩能量额定值
- 坚固耐用
- 开尔文源极,便于驱动
- 极低的杂散电感
- 对称设计
- M5电源连接器
- 高度集成
应用领域
-焊接转换器-开关模式电源-不间断电源-电机控制
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