- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 278A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 780W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 700nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 20nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.9nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 8nF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它通过了AEC-Q101认证，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：背光照明、电源管理功能、DC-DC转换器。
商品特性
- 功率MOS V型MOSFET
- 低导通电阻(RDSon)
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 有雪崩能量额定值
- 坚固耐用
- 开尔文源极,便于驱动
- 极低的杂散电感
- 对称设计
- M5电源连接器
- 高度集成
应用领域
-焊接转换器-开关模式电源-不间断电源-电机控制
- 660-050XM19N
- SIT8925BM-72-33N-125.000000
- 5-1375582-6
- IPL1-102-01-H-S-RA-K
- OCHTA10-RALA-001A
- DC1331D
- PR2-751-JTW
- SG-8018CB 74.963397M-TJHSA0
- M83723/60-120WT
- PL182(X)/282(X)-30X DUST CAP
- GCM32EL8EH106KA07K
- SIT1602BC-33-33N-28.636300
- 3QHM53D1.0-65.9934
- 25QHM53C0.125-66.66667
- BK/GMT-Y
- BPSF00070730470M00
- SIT1602BC-12-XXN-72.000000
- SG-8018CG 155.5000M-TJHSA0
- SG-8018CG 1.234567M-TJHSA0
- IPD1-07-S-K
- XBHAWT-02-0000-000LT60E1